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近日，泰克科技与远山半导体的配合迎来又一蹙迫里程碑，两边联袂对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，效果斐然，为该器件在高端应用市集的拓展注入重大能源。

此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件界限的抓续立异，已奏效推出多款居品，并缓缓将额定电压晋升至1700V，这一电压等第的冲破，相较于1200V器件杀青了显耀性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流坍弛贫乏，远山半导体收受了生拉硬扯的极化超等结（PSJ）技艺，并对坐褥工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定责任电压大幅晋升至1700V，责任电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为重大的“芯”能源。

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在这次配合测试中，泰克科技凭借其先进的测试建筑与专科的技艺团队，对远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品进行了全观点、多维度的性能检测。静态测试收尾流露，该器件在1700V电压下反偏走电流Idss仅为4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA走电流要求下，Vds电压奏效冲破1750V，击穿电压深切不凡，为器件的高可靠性运转奠定了坚实基础。

同期，当作常开型器件，其阈值电压测试精确可靠，当Vds = 10V，Id = 1mA时，实测阈值电压Vth矫健在-4.1V，确保了器件在不同责任要求下的精确摈弃。在导通景况下，测试要求为Vgs = +3V，Id = 20A，电流脉宽300uS时，四线时势下实测导通电阻仅为107mΩ，远低于行业同类居品，展现出出色的导电性能。

动态特质测试更是亮点纷呈。由于泰克科技当今的GaN测试电路最大测试电压为1000V，为确保测试安全，两边在900V电压要求下对该器件进行了双脉冲测试。测试要求为：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V， Vgsoff = -8V， Id = 20A，负载电感L = 200uH。

测试波形明晰流露，在900V高压要求下，Vds波形在两次导通阶段内保抓矫健低电压，真实接近0V，充分讲明了器件在高压硬开关操作下未出现电流坍弛神情，其动态性能不凡，可靠性极高。

为进一步精确测量功率器件在开关历程中的动态导通电阻值，泰克科技应用钳位探头对器件进行深入测量。钳位探头可有用过滤信号高压部分，以较小量程精确测量低压部分，尤其适用于快速开关要求下，准确测量导通要求下的器件两头电压降。通过电压钳位探头测量获取的钳位电压Vds-clamp，连合导通电流Id，依据欧姆定律缠绵得转移态导通电阻D-Rdson。

测试数据标明，在不同电压要求下，器件的归一化动态电阻随测试电压升高加多比例较小，300V、600V、900V时刻别为1、1.07、1.18，彰显了器件在高压开关要求下矫健的责任景况，其性能深切远超预期。

这次测试收尾充分展现了远山半导体1700V GaN器件的不凡性能，其各项筹办不仅刷新了市集对GaN器件的贯通，更是快速贴近以致在部分性能筹办上卓越了主流SiC功率器件。改日，跟着GaN器件在遥远责任可靠性及老本上风方面的进一步突显，有望在工业界限大放异彩，缓缓杀青对SiC功率器件的替代，开启功率器件市集的新篇章。

泰克科技与远山半导体的良好配合，再次为半导体行业诞生了产学研用协同立异的典范。两边将陆续联袂共进男同 porn，不停探索与冲破，鼓吹GaN器件技艺的抓续跳动，为天下电子产业的高质料发展孝顺更多力量。